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M5358替代OB2358

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发布时间: 2018/4/4 17:48:00
 
深圳市茂捷半导体有限公司 “未认证”表示未核实营业执照
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公司名称:深圳市茂捷半导体有限公司
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M5358替代OB2358 详细说明
  M5358可完全替代OB2358,M5358是茂捷半导体资深IC设计工程师研发的一款AC-DC副边反馈内置MOS的芯片,主要应用于手机、移动电源、理发器、按摩器、适配器等电源上,其高性价比使得M5358得到了大部分厂家的认可。比起OB2358优势更为明显,① 内置MOS效率高② 待机空耗低③ 比OB2358性价比更高④ 容易过EMI,在各种对比测试中M5358的参数基本都与OB2358好,SSR性能稳定,动态响应好,输出电压精度高,适用于对电压精度要求高的应用领域。
M5358参数
参数 数值
内部高压功率管漏极(启动) -0.3V ~ BVdss
芯片电源电压 -0.3V ~ 30 V
内部栅极驱动电压 -0.3V ~ 30 V
VDD钳位电流 10mA
INV输入电压 -0.3 ~ 7V
SEN输入电压 -0.3 ~ 7V
最低/最高工作结温 -20 ~ 150℃
最低/最高储存温度 -55 to 150℃
过锡炉温度(10S) 260℃

M5358是一款高度集成的电流模式PWM控制芯片,,内置高压MOS,适合应用于高性能、低待机功耗,低成本,离线AC-DC反激式拓扑结构,推荐应用于功率27瓦以内的各种变换器。
M5358提供完善的各种保护以及自恢复功能,包括逐周期电流限制(OCP),过载保护(OLP),VDD电压钳位和低电压锁定(UVLO)。电路具有抖频功能以及软开关技术,保证了优秀的EMI性能,消除了低于20KHz的音频噪声。M5358采用DIP8封装。


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产品名称:M5358替代OB2358
 
·基本配置规格
  OB2358,M5358
 
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